机译:质子和3He在197Au目标上以2.8、5、10和16.587 GeV /核子的束能量产生的离子
机译:由40 GeV / c混合质子/介子束在30-135度角范围内在铜,银和铅靶上产生中子
机译:在质子束能量为70 GeV的情况下,在中部区域中性离子包容性产生中寻找单轴不对称性
机译:能量为3.65 GEV /核的质子,〜4HE和〜(12)C核辐照的厚铜和铅靶的放射性
机译:在200 GeV质心能量下极化质子+质子碰撞中中速产生中等速态离子的横向单旋不对称性的测量。
机译:在钽靶中产生的铽菌放射性核苷酸的生产横截面测量诱导0.3-1.7 gev质子和相应的厚靶产率计算
机译:NRQCD在固定靶电能下用磁场和质子束产生的炭疽生产分析
机译:采用10~1000 GeV能量的质子束引发屏蔽材料中核 - 壳层的蒙特卡罗计算